這一陣，存儲芯片有很多消息，比如凱俠與西部數(shù)據(jù)兩個巨頭合并，Micron、三星龍頭宣布不再降價，YMTC宣布漲價。在消息驅動下，存儲芯片板塊這兩天出現(xiàn)了波動。今天我們一起了解下存儲芯片的主流產(chǎn)品類型，以及去年至今漲幅波動比較大的佰維存儲。

目前國內存儲企業(yè)多元化布局，已經(jīng)形成包括DRAM、NAND、NOR Flash等多產(chǎn)品的覆蓋。

(資料圖)

NAND Flash屬于非易失性存儲，它的特點是斷電后不會丟失儲存信息，并且容量大、價格也不高。根據(jù)不同的應用，下游領域劃分，這種產(chǎn)品的最終儲存介質的出貨多以 eMMC/UFS（主要應用在移動設備）、SSD（主要應用在服務器和PC）為主，也可以做成SD/閃存盤（移動儲存 SD卡及U盤）等產(chǎn)品設備里。在移動設備領域，和eMMC的封裝形式相比，UFS封裝的閃存特性更好，具備有更優(yōu)的性能。智能手機端從eMMC發(fā)展現(xiàn)階段 UFS3.1 規(guī)格儲存，提高了讀寫速度。SSD產(chǎn)品則依據(jù)下游應用場景對容量和 速度的要求部分，分為消費級、數(shù)據(jù)中心級和企業(yè)級固態(tài)硬盤。

NAND Flash算是目前主流的儲存介質，多用在智能手機領域、筆電領域、服務器或者汽車等行業(yè)里。隨著手機再加上3C產(chǎn)品的儲存容量和硬盤搭載率提升會拉動對NAND Flash產(chǎn)品的需求。比如手機市場里，根據(jù)Counterpoint的數(shù)據(jù)顯示，2020年智能手機 NAND閃存平均容量突破了100GB。2020年iOS和 Android手機的平均容量分別增長了 5.6%和 20.5%。Android 手機的平均容量的增長很快，對NAND Flash的需求要更大。Trendforce數(shù)據(jù)還提到，預計今年智能手機NAND Flash單機搭載容量年成長會維持22.1%。

同時，服務器設備也會有個增長，人工智能的發(fā)展帶來了對云端儲存及處理數(shù)據(jù)的增長需求，也會拉動對NAND Flash需求。

另外就是汽車領域對NAND Flash的需求，相比PC市場，或者手機市場，汽車市場的增長是最猛的，一個是智能座艙產(chǎn)生巨量數(shù)據(jù)交互，另一個是ADAS系統(tǒng)及車載娛樂系統(tǒng)的需求。這兩年自動駕駛等級不斷提升，會產(chǎn)生大量的道路和環(huán)境數(shù)據(jù)，也增加了對攝像頭、毫米波雷達、激光雷達等用于收集車輛運行和周邊環(huán)境數(shù)據(jù)的各類傳感器的需求，也會需要更多更大容量NAND存儲的需求。根據(jù)Semico Research數(shù)據(jù)計算，L1/L2 級別的自動駕駛就需8GB的NAND容量，L3級別的自動駕駛需要256GB的NAND容量，更別說L5或者更高級別的自動駕駛所需了，對NAND的需求只會越來越高。

國內的NAND Flash產(chǎn)品中，還是三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、美光、英特爾、海力士占據(jù)大頭，差不多幾乎壟斷了市場，而三星、鎧俠、西部數(shù)據(jù)更是市場份額更高。

NADA是閃存顆粒，又稱閃存，是一種非易失性存儲器，即在斷電的情況下依舊可以保存已經(jīng)寫入的數(shù)據(jù)，NAND是全球最通用的閃存芯片，是構成電腦硬盤和內存設備的主要零部件。目前NAND已經(jīng)由2D逐步走向3D，2D NAND是在平面上對晶 體管尺寸進行微縮，從而獲得更高的存儲密度，不過晶體管尺寸微縮存在物理極限。要在維持性能的情況下實現(xiàn)容量提升，那么3D NAND已經(jīng)是主流。3D NAND的解決方案從提高制程工藝轉變?yōu)槎鄬佣询B，可解決2D NAND在增加容量的同時性能出現(xiàn)下降的問題，還可以提高實現(xiàn)容量、速度、能效及可靠性等性能。

當然，在很長一段時間里，這部分市場基本都被美國或者韓國壟斷，SK海力士已經(jīng)更新到了第8代3D NAND閃存芯片，容量達到1Tb（128GB），具有三級單元和超過 20Gb/mm2的位密度（bit density）。三星做到了第八代V-NAND技術產(chǎn)品的開發(fā)，堆棧層數(shù)達到了236層，去年11月份量產(chǎn)，美光也做到了232層NAND芯片。

我國一直在開發(fā)自己的閃存芯片，不過不管是研發(fā)還是制造，產(chǎn)品出來的不多，再加上已經(jīng)有現(xiàn)成的芯片可以購買，所以很長一段時間里，我國廠商的閃存芯片的技術發(fā)展非常緩慢，雖然也有國產(chǎn)的閃存，而且價格也比進口的低，但是由于技術從差距，在性能上要差了一些。這幾年，在我國廠商里，長江存儲算是領先的，長江存儲在前兩年生產(chǎn)了我國第一款64層3D NAND閃存芯片，并在去年8月份推出了232層的3D NAND閃存芯片X3-9070。

DRAM芯片也是主流的產(chǎn)品，屬于易失存儲器，多用于 cpu 和圖像系統(tǒng)緩存的臨時數(shù)據(jù)存儲。市場中的DRAM產(chǎn)品多是被三星、SK海力士和美光等國外廠商壟斷，占據(jù)了我國大部分的市場份額，三星和SK海力士已經(jīng)要投產(chǎn)第五代10nm級（1b或者12nm）內存芯片，國產(chǎn)DRAM代表企業(yè)合肥長鑫則是研發(fā)到了第二代10nm（1y或者16/17nm）。

佰維存儲累計漲幅高達573.84%

眾多個股中，佰維存儲這兩年漲幅非常大，去年最后一個交易日，佰維存儲掛牌上交所。當時就受到了市場的關注，并且一路高歌猛進，進入3月，佰維存儲股價開啟暴漲，一個多月的時間漲幅超320%，主要是當時美國存儲芯片大廠美光公司(Micron)在華銷售產(chǎn)品被實施網(wǎng)絡安全審查的消息，引發(fā)市場對A股存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈的關注。引發(fā)了A股半導體、芯片概念上市公司強勢上漲，而佰維存儲因為公司的業(yè)務而成為存儲概念的龍頭股。到今年五月份，數(shù)據(jù)存儲核心小龍頭佰維存儲漲幅高達573.84%。

不過，佰維存儲的卻沒有創(chuàng)下與股價相匹配的業(yè)績表現(xiàn)，去年佰維存儲實現(xiàn)營業(yè)收入298,569.27萬元，較上年同期小幅增長14.44%。歸屬于上市公司股東的凈利潤是7,121.87萬元，較上年同期下降38.91%，歸屬于上市公司股東的扣除非經(jīng)常性損益的凈利潤6,578.26萬元，較上年同期下降44.37%。應該是增收不增利。今年第一季度業(yè)績也不如意，營收42,549.11萬元，同比下降39.41%；歸屬于上市公司股東的凈虧損12,601.52萬元，同比下降908.07%；基本每股收益-0.33元，加權平均凈資產(chǎn)收益率-5.34%。

佰維存儲主要是做NAND Flash和DRAM存儲器業(yè)務，下產(chǎn)品已進入Google、Facebook、步步高、TCL、科大訊飛、富士康等智能終端廠商，聯(lián)想、同方、寶德等PC及服務器廠商；中興、兆馳、朝歌、禾苗、九聯(lián)等通信設備廠商；星網(wǎng)銳捷、深信服、江蘇國光、G7物聯(lián)、銳明技術等行業(yè)及車聯(lián)網(wǎng)客戶。

NAND Flash和DRAM存儲器是半導體存儲器中規(guī)模最大的細分市場，不過，NAND Flash和DRAM存儲器上游高度集中，全球的存儲晶圓產(chǎn)能集中于三星、SK 海力士、美光、鎧俠、西部數(shù)據(jù)、英特爾、長江存儲、合肥長鑫等存儲晶圓制造廠商。而佰向上游采購的NAND Flash和DRAM晶圓及芯片，采購的相關產(chǎn)品就占自己原材料成本的80%左右。

從佰維存儲現(xiàn)在的能力來看，在全球市場份額不大，像去年江波龍的營收已經(jīng)達到了83.30億元，兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入81.30億元。佰維存儲的毛利率也不高，佰維存儲的盈利能力還遠不及同樣受市場大環(huán)境影響的行業(yè)競爭對手。前幾年期間，兆易創(chuàng)新的毛利率保持在40%左右，但佰維存儲毛利率多是在20%以下。而去年更低，下降到13.84%。其中，消費級存儲毛利率減少10.18%至1.77%，工業(yè)級存儲、先進封測服務的毛利率則分別減少13.42%、16.40%。去年存貨也比較多，去年佰維存儲嵌入式存儲庫存量同比增長72.93%至3279.27萬顆；消費級存儲庫存量同比增長38.51%至154.24萬顆；工業(yè)級存儲庫存量同比增長183.56%至1.99萬顆。同時，2022年佰維存儲存貨賬面價值達到19.54億元，占流動資產(chǎn)比例高達55.46%，存貨跌價準備達到1.27億元。

確實是，從去年起，存儲價格開啟了一波迅猛下跌。像DRAM中的產(chǎn)品DDR4 8G，現(xiàn)貨價格從2002年初的4美元下滑到了今年5月的1.6美元。確實是給存儲企業(yè)帶來了大量存貨資產(chǎn)減值損失，除了佰維存儲是這樣，江波龍也是這樣，去年的資產(chǎn)減值損失為1.62億元，今年第一季度為1.3億元。

雖然我國有一些存儲芯片的廠商，不過我們之前應該提到過，國內的江波龍和佰維存儲等廠商都有采購美光的存儲晶圓或芯片，再整合相應的存儲控制權，來設計和制造自有品牌的存儲模組產(chǎn)品。

模組相比芯片技術難度低得多，即便是國產(chǎn)替代，但也難以完完全全的自主可控，像佰維存儲和江波龍類似，芯片主要采購自三星、美光、西數(shù)等美韓企業(yè)，江波龍從美光或者三星那里購買NAND顆粒，佰維存儲也是如此，美光科技在2019年至2021年期間一直是江波龍的第一大存儲晶圓供應商，江波龍采購的存儲晶圓金額分別是201,750.35萬元、258,901.57萬元、309,789.87萬元，在總采購額當中的占比分別達到了35.83%、37.41%、33.52%。同期，佰維存儲向美光科技采購的存儲晶圓及芯片金額分別是27,629.70萬元、51,860.39萬元、83,259.52萬元、33,946.93萬元，在總采購額當中的占比分別達到了24.23%、33.57%、27.63%、22.16%。2021年美光占供應商第一名，佰維存儲占美光2021年對大陸銷售的140億的7%。

美光存儲芯片行業(yè)龍頭，根據(jù)Trendfore數(shù)據(jù)，2022年第四季度美光在全球DRAM/NANDFlash市場分別占據(jù)23%、10.7%的份額。中國大陸市場是美光最大的市場之一。根據(jù)前兩年美光的財報顯示，2021年來自中國客戶的銷售收入占比為8.9%，2022年提升至10.8%，此外還包括部分非中國客戶購買的產(chǎn)品最后也流入中國，其國內客戶包括多家知名手機廠商。

呂長順（凱恩斯） 證書編號：A0150619070003。【以上內容僅代表個人觀點，不構成買賣依據(jù)，股市有風險，投資需謹慎】

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